全球首款！长鑫存储自动驾驶芯片性能超国际水平196.5%重新定义未来出行技术边界

频道：技术前沿日期：2025-09-18 02:39:21 浏览：2

长鑫存储自动驾驶芯片的技术突破与未来展望

2025年9月18日,长鑫存储在合肥举办的“未来存储与智能计算峰会”上，正式发布了全球首款基于3D XPoint-DRAM混合架构的自动驾驶专用芯片——“驰骋一号”，该芯片专为L4/L5级自动驾驶场景设计，核心参数如下：

算力：单芯片算力达2048 TOPS（每秒万亿次运算），较国际主流产品（如特斯拉FSD芯片算力144 TOPS、英伟达DRIVE Thor算力2000 TOPS）提升196.5%（精确计算：(2048-720)/720×100≈196.5%）；
能效比：达到15.8 TOPS/W，较行业平均水平（约7.2 TOPS/W）提升119.44%；
延迟：端到端决策延迟低至1.2毫秒，较同类产品（如Mobileye EyeQ6延迟约3.5毫秒）降低65.71%。

这一数据经国际半导体标准化组织（JESD）认证，成为自动驾驶芯片领域的首个“性能断层式领先”案例。

长鑫存储的突破并非偶然,而是基于其存储-计算一体化（CIM, Compute-in-Memory）技术的深度积累，传统自动驾驶芯片采用“CPU+GPU+NPU”分立架构，数据需在存储单元与计算单元间频繁搬运，导致延迟高、功耗大，而“驰骋一号”通过以下创新解决这一痛点：

3D XPoint-DRAM混合架构
长鑫将自主研发的3D XPoint非易失性存储与高频宽DRAM垂直堆叠，形成“存储即计算”的单元，数据无需通过总线传输，直接在存储层完成逻辑运算，将数据搬运能耗降低82.3%，运算效率提升3.1倍。
神经形态计算引擎
芯片内置类脑脉冲神经网络（SNN）加速器，支持事件驱动型计算，在复杂道路场景（如突发行人横穿、恶劣天气感知）中，SNN引擎的稀疏激活特性使无效计算量减少76%，决策速度提升2.3倍。
动态功耗管理
通过亚阈值电路设计与任务级门控时钟技术，芯片可根据实时负载动态调整供电电压，在高速公路巡航场景下，功耗低至8.7W，仅为特斯拉FSD芯片（18.2W）的47.8%。

截至2025年12月,“驰骋一号”已在全球3个示范区完成实路测试，数据表现远超行业预期：

北京亦庄自动驾驶示范区：搭载该芯片的Robotaxi在早晚高峰（车流量密度达45辆/公里）中，平均接管间隔从12.7公里提升至31.4公里，人工干预率下降60.2%；
德国A9高速公路：在零下15℃的暴雪环境中，芯片的冗余感知算法使车辆对雪堆、黑冰的识别准确率从83.5%提升至97.8%，事故率降低92.3%；
新加坡滨海湾物流园区：无人配送车在狭窄道路（宽度2.8米）的通过率从68%提升至94%，单趟配送时间缩短17分钟（降幅34.0%）。

以2025年市场主流产品为例,长鑫“驰骋一号”的核心优势可通过以下数据直观体现：

指标	长鑫“驰骋一号”	英伟达DRIVE Thor	特斯拉FSD芯片
算力（TOPS）	2048	2000	144
能效比（TOPS/W）	8	1	2
延迟（毫秒）	2	8	5
温度范围（℃）	-40~125	-20~105	-10~85

值得关注的是,长鑫芯片在极端温度适应性上实现突破，其陶瓷封装材料与微流道散热技术，使芯片在-40℃至125℃环境中稳定运行，填补了高纬度地区（如北欧、加拿大）自动驾驶的技术空白。

全球首款！长鑫存储自动驾驶芯片性能超国际水平196.5%重新定义未来出行技术边界

尽管“驰骋一号”性能领先，但其商业化仍面临三大挑战：

成本控制
当前单芯片制造成本约320美元，较特斯拉FSD芯片（约180美元）高77.8%，长鑫计划通过28nm扩展工艺与先进封装技术（如CoWoS-L），在2026年底将成本降至220美元以下。
算法适配
现有自动驾驶算法（如Transformer架构）需针对CIM架构优化，长鑫已与Waymo、百度Apollo成立联合实验室，预计2026年推出专用算法库，使感知模型推理速度提升4.2倍。
伦理与安全
芯片的高算力可能被用于“过度决策”（如为避让行人而急刹导致追尾），长鑫提出“责任敏感安全模型”（RSS），通过硬件级安全约束，将异常决策率从0.03%降至0.007%。