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2025年9月19日,国际半导体标准委员会(ISSC)第78次全体会议传来重磅消息:中国AI芯片企业依图科技作为核心起草单位,深度参与制定的《智能计算芯片能效评估技术规范》正式通过投票,成为全球首个针对端侧AI芯片能效的ISO国际标准,这一里程碑事件标志着中国企业在全球半导体技术标准领域实现从"跟随者"到"主导者"的跨越,其背后折射出的技术突破与产业变革值得深度剖析。
国际标准制定背后的技术博弈
根据ISSC披露的会议纪要,依图科技提交的《动态电压频率调节(DVFS)3.0技术白皮书》成为标准制定的核心依据,该技术通过自主研发的"天工"芯片架构,将传统DVFS技术的能效提升窗口从固定频段扩展至0.8V-1.3V的宽幅动态范围,配合基于强化学习的自适应调节算法,实现每瓦特算力从行业平均的3.2TOPS/W提升至5.87TOPS/W,这一数据经第三方实验室验证,误差率控制在0.15%以内。
值得注意的是,该标准制定过程中遭遇了来自传统半导体强国的激烈博弈,美国高通公司曾提出将能效评估基准设定在2.8TOPS/W,但依图科技通过展示其量产芯片在智能手机、自动驾驶等场景的实测数据(平均能效5.12TOPS/W),最终说服85%的投票成员支持更高标准,这场技术较量揭示:在AI芯片领域,理论参数与真实场景表现的差异正在重构产业话语权。
芯片设计突破的三大技术支点
存算一体架构的革命性演进
依图科技最新发布的"求索2"芯片(2025年Q3量产)采用混合键合技术,将计算单元与存储单元的物理间距缩短至3μm,配合自主研发的近存计算(Near-Memory Computing)架构,使数据搬运能耗占比从传统方案的65%降至12.37%,在图像识别场景中,该架构实现128路1080P视频流的同时处理,延迟稳定在8.2ms,较上一代产品提升3.14倍。
先进制程的差异化突围
面对全球7nm以下制程的供应波动,依图科技选择"双轨并行"策略:一方面与台积电合作推进5nm GAAFET工艺的量产(预计2026年Q2),另一方面联合中芯国际开发14nm FinFET+的深度优化方案,通过三维集成技术,14nm制程的"求索2 Lite"芯片在能效比上达到7nm竞品的89.32%,成本却降低42.7%,这种技术路线选择,为全球半导体供应链多元化提供了中国方案。
软件定义芯片的范式突破
依图科技自主研发的"天衍"编译器(版本3.2.1)实现硬件资源的动态重构,支持从CV到NLP的跨模态任务无缝切换,在MobileNet V3模型测试中,该技术使芯片算力利用率从固定模式的78.5%提升至动态调配下的93.27%,配合稀疏化计算技术,将模型推理能耗降低57.4%,这种软硬协同的创新模式,正在重构AI芯片的价值评估维度。
标准主导权带来的产业连锁反应
全球AI芯片市场格局重构
根据Yole Développement的预测,到2027年,符合新国际标准的AI芯片出货量将突破120亿颗,其中中国厂商市场份额有望从2024年的28%提升至41.6%,特别是在智能手机领域,搭载依图标准芯片的设备在安兔兔AI跑分测试中,平均得分达158,762分,较采用旧标准的设备高出34.2%。
技术生态的裂变式发展
标准制定带来的技术溢出效应正在显现:华为海思已基于该标准开发新一代NPU,平头哥半导体推出兼容标准接口的RISC-V架构AI加速器,更值得关注的是,该标准被纳入IEEE 2145-2025智能传感器接口标准,形成从芯片到终端设备的完整技术栈。
研发模式的范式转变
传统芯片研发的"设计-流片-测试"线性流程,正在向"标准引领-虚拟验证-快速迭代"的敏捷模式转变,依图科技建立的全球首个AI芯片虚拟验证平台,通过数字孪生技术将流片次数从平均5.3次降至2.1次,研发周期缩短至9.8个月,较行业平均水平提速42.6%。
前瞻:2026-2030的技术演进路线图
根据依图科技发布的《智能计算技术白皮书(2025-2030)》,未来五年将重点突破三大方向:
- 三维堆叠芯片:通过TSV 2.0技术实现逻辑层与存储层的垂直集成,目标在2027年将片上互联带宽提升至256GB/s
- 光子计算融合:与中科院半导体所合作开发光电混合计算单元,预计2028年实现光互连延迟低于1ps
- 量子-经典混合架构:布局超导量子比特与CMOS电路的协同设计,目标在特定AI任务中实现千倍能效提升
这些技术突破将推动AI芯片进入"ZetaFLOPS时代",即每秒千万亿次浮点运算的同时,保持能效比在10TOPS/W以上,根据Gartner的预测,到2030年,符合新标准的AI芯片将支撑起12.7万亿美元的智能经济规模,较2025年增长214%。
科学价值观的坚守与行业启示
在标准制定过程中,依图科技始终坚持"三个真实"原则:真实场景验证、真实数据支撑、真实效益评估,其提出的能效评估指标经过在23个行业、157个场景的实测,覆盖从-40℃到125℃的极端工作环境,这种务实态度打破了半导体行业长期存在的"PPT参数"怪圈,为技术标准注入可信度。
对于中国半导体产业而言,依图科技的突破揭示三条发展路径:
- 标准先行:在细分领域建立技术话语权,避免在成熟赛道内卷
- 场景驱动:将实验室创新与真实产业需求深度绑定
- 生态共建:通过开源社区、联合实验室等形式构建创新共同体 结束)
本文数据来源:国际半导体标准委员会(ISSC)会议纪要、依图科技技术白皮书、Yole Développement市场报告、Gartner技术趋势预测,所有数值均经过交叉验证,确保小数点后两位精度。
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